Enhanced Bandwith Speicher?

[SANDMANN2000]

OCZ hat jetzt diese neuen EB (Enhanced Bandwith) Platinum Speicher auf den Markt gebracht. In den reviews die ich gesehen habe, lassen sie trotz konservativer CL2,5 Timings selbst die schnellsten CL2 Speicher von Corsair & Mushkin stehen. Kann mir mal jemand erklären was es damit genau auf sich hat ?

Test Anandtech (http://www.anandtech.com/memory/showdoc.html?i=2019)
The Crucible (http://www.thecrucible.ca/reviews/ocz_pc3500eb/performance.htm)
PCStats (http://www.pcstats.com/articleview.cfm?articleid=1570&page=5)

--> http://www.ocztechnology.com/displaypage.php?name=Enhanced%20Bandwidth%20Technology

http://www.ocztechnology.com/images/motherboards/image001.gif

http://www.ocztechnology.com/images/motherboards/image003.jpg

http://www.ocztechnology.com/images/motherboards/image005.jpg

[GloomY]

Das ist genau das, was ich immer wieder predige: Die CAS Latency ist nicht alleine das einzig entscheidende Kriterium bei DDR SDRAM. tRCD und tRP sind genauso wichtig, wenn nicht zusammen gesehen sogar noch wichtiger.
Original geschrieben von SANDMANN2000
OCZ hat jetzt diese neuen EB (Enhanced Bandwith) Platinum Speicher auf den Markt gebracht. In den reviews die ich gesehen habe, lassen sie trotz konservativer CL2,5 Timings selbst die schnellsten CL2 Speicher von Corsair & Mushkin stehen. Kann mir mal jemand erklären was es damit genau auf sich hat ?Der Speicher selbst ist ganz normaler DDR-SDRAM. Da gibt es bis auf die relativ niedrigen Timings keinen Unterschied.
Original geschrieben von SANDMANN2000
http://www.ocztechnology.com/images/motherboards/image003.jpgDas ist eine Page Miss Situation, wo tRP und tRCD zum tragen kommt. Man sieht, dass der zweite Transfer deutlich später anfängt (längere Pause). Dafür verantwortlich sind wie erwähnt die hohen Timings für tRCD und tRP.

Man bemerkt ebenso, dass ein niedriger tRCD Wert den Zeitpunkt des ersten Transfer verkürzt, also die absolute Zugriffszeit verringert. Die CAS Latency ist eben nicht einzig und allein für die Zugriffszeit verantwortlich.
Original geschrieben von SANDMANN2000
http://www.ocztechnology.com/images/motherboards/image005.jpg Hier sieht man, dass die CAS Latency des zweiten (=roten) und dritten (=blauen) Zugriffs auf Grund von Early Command bei DDR-SDRAM hinter den bereits stattfindenden Zugriffen versteckt werden kann. Das sichert eine ununterbrochene Datenübertragung solange man in der Page bleibt. Die CAS Latency ist nur für die Latenz des aller ersten Zugriffs relevant.

Im Prinzip ist das gar nichts neues, aber OCZ verkauft ihre relativ niedrigen tRCD und tRP Timings eben als "Enhanced Bandwith Technology"... :eyes:

btw: Der Autor des Artikels bei OCZ ist Michael Schütte, Site-Betreiber von Lostcircuits.com. ;)

[SANDMANN2000]

He Danke ;) Hier gibt´s ja doch Leute die Ahnung haben.

Wundert mich, das da noch niemand anderes drauf gekommen ist.

Hat jemand hier diesen Speicher schon ?

[GloomY]

Original geschrieben von SANDMANN2000
He Danke ;) Hier gibt´s ja doch Leute die Ahnung haben.Na klar. ;)
Original geschrieben von SANDMANN2000
Wundert mich, das da noch niemand anderes drauf gekommen ist.Niedrige tRCD und tRP Timings stellen hohe Anforderungen an die Speicherchips. Gerade bei hohen Frequenzen ist oftmals tRCD ein limitierender Faktor. Und MHz verkaufen sich halt besser als niedrige Timings (leider ;( ).

Corsair macht das gleiche mit ihren "LL" (low Latency) Speicher, obwohl sie keine solch ausführliche Beschreibung wie OCZ machen.
Original geschrieben von SANDMANN2000
Hat jemand hier diesen Speicher schon ? Ich erinnere nur mal dran, dass es lediglich die Timings sind. Technisch gesehen sind die "Enhanced Bandwith"-Chips genau gleich wie alle anderen auch. Mit anderem Speicher, der bei gleichem Takt die selben Timings hinbekommt, hat man genauso den angesprochenen Effekt.