Kladderadatsch
2006-06-13, 21:37:13
CB hat da eine äußerst interesante news (http://www.computerbase.de/news/allgemein/forschung/2006/juni/intel_tri-gate-transistor/) rausgebracht:
Intels Forschungsabteilung gelang eine bedeutende Weiterentwicklung bei neuartigen Transistoren. Diese so genannten Tri-Gate-Transistoren sollen sowohl die Leistungsfähigkeit als auch die Energieeffizienz von zukünftigen Mikroprozessoren steigern.
[..]
Die Halbleiter-Technologie stößt jedoch [..] in Strukturdimensionen kleiner als 100 Nanometer vor. Jenseits dieser Schwelle können einige Transistoren-Elemente aus dünnen Schichten von nur noch wenigen Atomlagen bestehen. Dadurch ergeben sich parasitäre Kurzkanaleffekte [..] – ein Strom zwischen Drain und Source (Subthreshold-Leakage) fließt.
Intels Tri-Gate-Transistor nutzt eine solche dreidimensionale Struktur und verfügt über drei Gates. Die Struktur gleicht einem Plateau mit einer flachen Ebene oben und zwei vertikalen, steil abfallenden Flächen an den Seiten. Die elektrischen Signale fließen nicht nur entlang der Ebene, wie bei einem planaren Transistor, sondern auch entlang der beiden Seiten.
[..]
Das reduziert die Wärmeentwicklung und den Stromverbrauch von Prozessoren.
[..]
Die um 35 Prozent geringere Schaltleistung (Switching Power) erlaubt einen 45 Prozent höheren Steuerstrom (Drive Current/Switching Speed) für einen schnelleren Einschaltvorgang und damit höhere Taktfrequenzen.[..]
allerdings:
In der Tat scheint der in der zweiten Hälfte 2007 kommende Wechsel auf 45 nm-Strukturen auch ohne Tri-Gate gut auskommen zu können. So hat Mark Bohr im Rahmen der Ankündigung dieser Fertigungstechnologie bekannt gegeben, dass hier die Schaltleistung (Switching Power) im Vergleich zu 65 nm um über 30 Prozent, der Steuerstrom (Drive Current/Switching Speed) um 20 Prozent gesteigert und die Leakage-Power um den Faktor 5 reduziert werden konnten.
und somit:
Intel wird heute, am 13. Juni 2006 auf dem VLSI Technology Symposium in Honolulu, Hawaii, ein Whitepaper zu seinen Forschungen zum Tri-Gate-Transitor vorstellen. Man geht davon aus, Tri-Gate-Transistoren mit dem Prozesswechsel auf 32 nm (P1268) im Jahr 2009, oder 2011 mit 22 nm (P1270) einsetzen zu können.[..]
ich denke, die news genügend gekürzt zu haben.
---------------------------------------------------------
ich möchte das thema dieses threads gerne auf die gesamte prozessor/transistor-entwicklung ausweiten. intel scheint seinen weg für die zukunft gefunden zu haben. hierzu sind erleuterungen und meinungen erwünscht:)
(ein blick in die wirklich lange news ist empfehlenswert, da noch einige grafiken vorhanden sind)
ist auch von amd derartiges bekannt? wie wollen die die leckstörme - und darum und um nichts anderes geht es doch letztendlich - bändigen? und gab es nicht bereits vor jahren auch schon prototypen von ibm (die in kooperation mit einer anderen namhaften firma arbeiten, deren namen mir gerade nicht einfällt), wo es gelungen ist, kohlenstoffatome gezielt zu verbinden, bzw. 'nanoröhrchen' herzustellen, die aufgrund des fehlenden elektr. widerstands praktisch keinen thermischen problemen mehr unterliegen? oder ist das wiederum noch musik von übermorgen?
Intels Forschungsabteilung gelang eine bedeutende Weiterentwicklung bei neuartigen Transistoren. Diese so genannten Tri-Gate-Transistoren sollen sowohl die Leistungsfähigkeit als auch die Energieeffizienz von zukünftigen Mikroprozessoren steigern.
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Die Halbleiter-Technologie stößt jedoch [..] in Strukturdimensionen kleiner als 100 Nanometer vor. Jenseits dieser Schwelle können einige Transistoren-Elemente aus dünnen Schichten von nur noch wenigen Atomlagen bestehen. Dadurch ergeben sich parasitäre Kurzkanaleffekte [..] – ein Strom zwischen Drain und Source (Subthreshold-Leakage) fließt.
Intels Tri-Gate-Transistor nutzt eine solche dreidimensionale Struktur und verfügt über drei Gates. Die Struktur gleicht einem Plateau mit einer flachen Ebene oben und zwei vertikalen, steil abfallenden Flächen an den Seiten. Die elektrischen Signale fließen nicht nur entlang der Ebene, wie bei einem planaren Transistor, sondern auch entlang der beiden Seiten.
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Das reduziert die Wärmeentwicklung und den Stromverbrauch von Prozessoren.
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Die um 35 Prozent geringere Schaltleistung (Switching Power) erlaubt einen 45 Prozent höheren Steuerstrom (Drive Current/Switching Speed) für einen schnelleren Einschaltvorgang und damit höhere Taktfrequenzen.[..]
allerdings:
In der Tat scheint der in der zweiten Hälfte 2007 kommende Wechsel auf 45 nm-Strukturen auch ohne Tri-Gate gut auskommen zu können. So hat Mark Bohr im Rahmen der Ankündigung dieser Fertigungstechnologie bekannt gegeben, dass hier die Schaltleistung (Switching Power) im Vergleich zu 65 nm um über 30 Prozent, der Steuerstrom (Drive Current/Switching Speed) um 20 Prozent gesteigert und die Leakage-Power um den Faktor 5 reduziert werden konnten.
und somit:
Intel wird heute, am 13. Juni 2006 auf dem VLSI Technology Symposium in Honolulu, Hawaii, ein Whitepaper zu seinen Forschungen zum Tri-Gate-Transitor vorstellen. Man geht davon aus, Tri-Gate-Transistoren mit dem Prozesswechsel auf 32 nm (P1268) im Jahr 2009, oder 2011 mit 22 nm (P1270) einsetzen zu können.[..]
ich denke, die news genügend gekürzt zu haben.
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ich möchte das thema dieses threads gerne auf die gesamte prozessor/transistor-entwicklung ausweiten. intel scheint seinen weg für die zukunft gefunden zu haben. hierzu sind erleuterungen und meinungen erwünscht:)
(ein blick in die wirklich lange news ist empfehlenswert, da noch einige grafiken vorhanden sind)
ist auch von amd derartiges bekannt? wie wollen die die leckstörme - und darum und um nichts anderes geht es doch letztendlich - bändigen? und gab es nicht bereits vor jahren auch schon prototypen von ibm (die in kooperation mit einer anderen namhaften firma arbeiten, deren namen mir gerade nicht einfällt), wo es gelungen ist, kohlenstoffatome gezielt zu verbinden, bzw. 'nanoröhrchen' herzustellen, die aufgrund des fehlenden elektr. widerstands praktisch keinen thermischen problemen mehr unterliegen? oder ist das wiederum noch musik von übermorgen?