Archiv verlassen und diese Seite im Standarddesign anzeigen : Werden Chipsätze/Ram durch Memtest86+/Prime95 beschädigt?
Zaptron
2007-06-11, 20:12:47
Hallo.
In letzter Zeit mehren sich in den Hardwareforen die Leute, die Probleme mit ihrem RAM haben. Meist ist es die selbe Hintergrundgeschichte: Jemand kauft 2 Speicherriegel nach, weil die Preise grad günstig sind und läßt dann gleich mal ein paar Stunden einen Speichertest durchlaufen, weil er in einem Forum gelesen hat, daß man das so machen soll. Plötzlich treten dann nach 3-4 Stunden die ersten Fehler auf. Voller Entsetzen wird der Speichertest dann am nächsten Tag wiederholt mit dem Ergebnis, daß die Fehler jetzt bereits nach 2 Stunden und ab da in immer kürzeren Intervallen auftreten.
Meine Frage: Könnte es nicht sein, daß durch Tools wie Prime95 und Memtest86+ der Chipsatz / Speicher erst beschädigt wird?
Blockoperationen, wie sie zB. von Memtest86+ gestartet und dann über unbegrenzte Zeit laufen gelassen werden, sind eine hohe Belastung für Speichermodule und Chipsatz, die in der Realität so nicht vorkommt. Im normalen Betrieb haben Rams und Chipsatz auch immer ihre Ruhephasen.
Welchen Sinn macht es, einen Speichertest stundenlang laufen zu lassen? - Die Belastung, die dort simuliert wird, ist unrealistisch und führt zu einer vorschnellen Alterung von Rams und Chipsatz. Früher haben Programme wie zB. PC-Tools 1x Schachbrett und 1x inverses Schachbrett getestet <- das wars. Und diese Tools waren auch zuverlässig: Ein Speicherriegel, der defekt ist, schafft kein Schachbrett/inverses Schachbrett.
Oder wie seht ihr das?
Meine Frage: Könnte es nicht sein, daß durch Tools wie Prime95 und Memtest86+ der Chipsatz / Speicher erst beschädigt wird?
nein, das darf den speichermodulen keinen schaden zufügen.
Endorphine
2007-06-11, 20:34:59
Meine Frage: Könnte es nicht sein, daß durch Tools wie Prime95 und Memtest86+ der Chipsatz / Speicher erst beschädigt wird? Nein. DRAM ist eine Grundschaltung aus Transistor und Kondensator. DRAM ist extra dafür da, in kürzester Zeit beliebig oft ausgelesen und wieder beschrieben zu werden. Wie oft und wie schnell und in welcher Reihenfolge man das tut muss dem DRAM vollkommen egal sein. Welchen Sinn macht es, einen Speichertest stundenlang laufen zu lassen? Weil gekippte Bits nicht unbedingt sofort auftreten, sondern zufällig über die Zeit verteilt. Dein Rechner stürzt vielleicht grade dann ab, wenn du gerade 3 Stunden an deiner Diplomarbeit geschrieben hast und reißt dann eine Menge Arbeit mit sich. Und ein 30-Sekunden Speichertest diagnostiziert nichts und du tauschst alles mögliche aus, denkst aber nicht an den Hauptspeicher, obwohl im Mittel alle 3 Stunden Speicherzelle xyz ein Bit kippen lässt.
Für gewöhnlich erkennt man defekten Speicher aber recht schnell mit Memtest, das stimmt. Dennoch ist der lang andauernde Test sinnvoll.
Speicher muss noch nicht mal kaputt sein, es reichen auch schon falsche Timings und Spannung.
Ich teste immer 3h um sicher gehen zu können. Hat bis jetzt gut geklappt.
Es gab aber schonmal einen Fall, wo auftraten und dann beim erneuten Testlauf nicht mehr. Warum auch immer.
Avalox
2007-06-11, 20:53:16
Ich denke eher ein Übertakten der Module kann zu Beschädigungen führen.
DrumDub
2007-06-11, 20:57:04
Ich denke eher ein Übertakten der Module kann zu Beschädigungen führen. das glaube ich nicht. übervolten kann da schon eher schaden erzeugen...
Avalox
2007-06-11, 21:43:31
das glaube ich nicht. übervolten kann da schon eher schaden erzeugen...
Kommt das nicht auf selbe hinaus? Die Verlustleistung und Elektromigration steigt.
Kommt das nicht auf selbe hinaus? Die Verlustleistung und Elektromigration steigt.
nein, elektromigration hat nichts mit dem takt, nur mit der spannung zu tun.
überhaupt ist es dem transistor ziemlich egal wie hoch der takt ist er schaltet bei gegebener spannung und temperartur immer gleich schnell, der takt legt lediglich fest wie lange er für seine aufgabe brauchen darf.
Avalox
2007-06-11, 22:43:58
nein, elektromigration hat nichts mit dem takt, nur mit der spannung zu tun.
überhaupt ist es dem transistor ziemlich egal wie hoch der takt ist er schaltet bei gegebener spannung und temperartur immer gleich schnell, der takt legt lediglich fest wie lange er für seine aufgabe brauchen darf.
Na dass ist ja Quatsch. Natürlich ändert sich das Elektomigrationsverhalten mit der Frequenz des Stroms und diese wird vom Takt bestimmt. Die Verlustleistung steigt auch. Kannst ja mal den Finger auf dem Chip legen und die Frequenz erhöhen.
Gast2
2007-06-11, 22:54:11
Die Verlustleistung steigt beim anheben des Taktes aber kaum so, das es sich bemerkbar macht.
Ob das Modul nun 20 oder 19,7 Jahre durchhält ist ja wohl völlig egal.
Übrigens sind 90% aller Speicherchips schon im Auslieferungszustand übertaktet. Wer sich mal die Spezifikationen von Micron ansieht, stellt fest, das die bekannten Micron D9GMH, die selbst auf DDR2-1250 Modulen eingesetzt werden, nur 3 ns Speicherchips sind und damit eigentlich für maximal DDR2-667 spezifiziert sind.
DDR2-1066 gibt es offiziell noch nicht mal, sind einfach nur übertaktete 3 oder gar 3,7 ns Speicherchips.
GEIL schlägt alle Rekorde: Deren Micron D9GCT Module (3,7ns) werden mit bis zu 580 MHz befeuert, obwohl für maximal 266 MHz gebaut. ;D
Wobei der höchste JEDEC Standard DDR2-800 ist.
Da kann Micron einfach keine schnelleren spezifizieren.
Gast2
2007-06-11, 23:11:30
Da kann Micron einfach keine schnelleren spezifizieren.
Warum? Micron wird doch nicht daran gehindert, schnellere Speicherchips herzustellen, völlig egal ob Standard oder nicht. OCZ, Mushkin, GEIL ... würden sich sicher darum reißen.
Die JEDEC ist einfach mist. Die arbeiten dort viel zu langsam. Es dauert teilweise Jahre, bis da mal ein offizieller Standard verabschiedet wird...
OCZ, Mushkin, GEIL ... würden sich sicher darum reißen.
Sie reißen sich schon jetzt ;)
RavenTS
2007-06-11, 23:21:17
Warum? Micron wird doch nicht daran gehindert, schnellere Speicherchips herzustellen, völlig egal ob Standard oder nicht. OCZ, Mushkin, GEIL ... würden sich sicher darum reißen.
Die JEDEC ist einfach mist. Die arbeiten dort viel zu langsam. Es dauert teilweise Jahre, bis da mal ein offizieller Standard verabschiedet wird...
Blödsinn, nur weil sie lediglich die JEDEC-Speichertaktraten "garantieren" heißt das ja nicht, daß sie eigentlich schon viel schnelleren Speichern zaubern können. Aber dieses kostenintensive Zaubern überlässt man halt gern den eigentlichen Resellern...
Endorphine
2007-06-11, 23:51:59
Die JEDEC ist einfach mist. Die arbeiten dort viel zu langsam. Es dauert teilweise Jahre, bis da mal ein offizieller Standard verabschiedet wird... Ich predige seit Jahren die Nachteile der JEDEC. Aber die fortschrittliche Alternative Rambus DRAM wollte ja niemand haben. Fully buffered SDRAM-DIMMs sind heute noch nicht mal auf einem technischen Stand angekommen, wo Rambus schon vor 10 Jahren war.
DRAM ist nunmal ein standardisiertes Massenprodukt. Und es müssen sich alle auf einen Standard einigen. Und das ist langwierig. Und ob das in der JEDEC oder sonstwo passiert ist eigentlich egal. Der Konsens des kleinsten gemeinsamen Vielfaches ist immer langsam. Siehe auch aktuell wieder IEEE 802.11n.
Der Vorteil ist aber, dass die Weiterentwicklung eben in den Händen aller liegt, die Spezifikationen offen und frei sind und nicht die ganze Welt Patentabgaben an die wenigen (z. B. Rambus) zahlen müssen, die DRAM weiterentwickeln.
Man kann sich nunmal nicht überall die Rosinen rauspicken. Wer JEDEC-DRAM will, muss auch mit der Langsamkeit der Entwicklung klarkommen.
Kommt das nicht auf selbe hinaus? Die Verlustleistung und Elektromigration steigt.
die verlustleistung steigt aber nur sehr gering an so lange die spannung nicht verändert wird und die elektromigration steigt mit dem takt nicht, lediglich mit der temperatur, was man durch entsprechend bessere kühlung ausgleichen kann.
Nun mal anders:
Die Verlustleistung muss steigen. Sonst könnte man den RAM ja auch ohne Erhöhung der Spannung bis in den Himmel jagen.
Die Spannung wird angehoben, damit eben diese Verlustleistung ausgeglichen wird.
Aktuelles Beispiel (für den gesamten PC) war eine kleine LAN am Wochenende:
6 Rechner und eine lausige Elektroinstallation. Ich habe vorher schon gesagt bekommen, dass bei gleicher Konstellation die Sicherung schonmal raus geflogen ist...
Die Sicherung ist zwar drin geblieben, aber mein Rechner ist in 7 Stunden 3 mal abgestürzt...Lag einfach daran, dass der Rechner nicht immer die passende Stromversorgung hatte. Allerdings muss ich dazu sagen, dass die Elektroinstallation dort wirklich grausam ist. Man hat fast das Gefühl, dass das ganze Haus mit 2 Phasen versorgt wird...
tombman
2007-06-13, 02:10:41
Garnix wird durch Belastung geschädigt. Ein DRAM kann gar nicht unterscheiden ob er jetzt "belastet" wird oder ned.
Der Speicher hat innerhalb seiner Spec. zu laufen, egal welcher Art Zugriff es sein mag.
Die Verlustleistung muss steigen. Sonst könnte man den RAM ja auch ohne Erhöhung der Spannung bis in den Himmel jagen.
das ist ein weit verbreiteter irrglaube dass die taktbarkeit durch die verlustleistung limitiert würde, was aber nicht der fall ist. ansonsten könnte man jeden IC beliebig hoch takten, wenn man die kühlung entsprechend verbessert, das ist aber nicht der fall, selbst wenn eine hypotetische kühlung auch eine unendlich große verlustleistung abführen könnte.
mit entsprechend guter kühlung ist es beispielsweise kein großes problem eine P4-pipeline auf 7-8GHz zu bringen. mit einem C2D oder A64 wird dir das nie gelingen, egal wie gut die kühlung ist. die maximale taktbarkeit hängt nämlich von der langsamsten pipelinestufe ab, und die ist beim P4 eben erheblich kürzer.
Die Spannung wird angehoben, damit eben diese Verlustleistung ausgeglichen wird.
das ist blödsinn³. durch eine höhere spannung wird die höhere verlustleistung nicht ausgeglichen, sie wird noch höher (und zwar quadratisch).
die höhere spannung veranlasst die transistoren schneller zu schalten, nicht der höhere takt. der takt legt nur fest wie lange eine pipelinestufe brauchen DARF um ihre arbeit zu verrichten. sie darf durchaus schneller sein, was auch meistens der fall ist.
beim übertakten lotet man eben jenes limit aus, wo der takt genau gleich lange dauert wie die arbeit der langsamsten pipelinestufe. hat man dieses limit erreicht und will weiter übertakten muss man irgendwie erreichen dass die transistoren schneller schalten, das erreicht man eben durch eine höhere spannung.
RavenTS
2007-06-14, 01:10:29
das ist ein weit verbreiteter irrglaube dass die taktbarkeit durch die verlustleistung limitiert würde, was aber nicht der fall ist. ansonsten könnte man jeden IC beliebig hoch takten, wenn man die kühlung entsprechend verbessert, das ist aber nicht der fall, selbst wenn eine hypotetische kühlung auch eine unendlich große verlustleistung abführen könnte.
mit entsprechend guter kühlung ist es beispielsweise kein großes problem eine P4-pipeline auf 7-8GHz zu bringen. mit einem C2D oder A64 wird dir das nie gelingen, egal wie gut die kühlung ist. die maximale taktbarkeit hängt nämlich von der langsamsten pipelinestufe ab, und die ist beim P4 eben erheblich kürzer.
das ist blödsinn³. durch eine höhere spannung wird die höhere verlustleistung nicht ausgeglichen, sie wird noch höher (und zwar quadratisch).
die höhere spannung veranlasst die transistoren schneller zu schalten, nicht der höhere takt. der takt legt nur fest wie lange eine pipelinestufe brauchen DARF um ihre arbeit zu verrichten. sie darf durchaus schneller sein, was auch meistens der fall ist.
beim übertakten lotet man eben jenes limit aus, wo der takt genau gleich lange dauert wie die arbeit der langsamsten pipelinestufe. hat man dieses limit erreicht und will weiter übertakten muss man irgendwie erreichen dass die transistoren schneller schalten, das erreicht man eben durch eine höhere spannung.
Praktisch. Theoeretisch sollte das doch aber gehen, wenn ich nur nahe genug an den absoluten Nullpunkt komme oder.?! :redface:
Spasstiger
2007-06-14, 11:52:20
DRAM ist extra dafür da, in kürzester Zeit beliebig oft ausgelesen und wieder beschrieben zu werden.
DRAM wird sogar mit jedem Takt neu beschrieben, da sonst der gespeicherte Wert flöten gehen würde (Kapazität entlädt sich über den Sperrstrom des CMOS).
patermatrix
2007-06-14, 12:17:34
Praktisch. Theoeretisch sollte das doch aber gehen, wenn ich nur nahe genug an den absoluten Nullpunkt komme oder.?! :redface:
Nein. :wink:
Du arbeitest hier mit Halbleitern (http://de.wikipedia.org/wiki/Halbleiter).
In der Nähe des absoluten Temperaturnullpunktes sind Halbleiter Isolatoren.
DRAM wird sogar mit jedem Takt neu beschrieben, da sonst der gespeicherte Wert flöten gehen würde (Kapazität entlädt sich über den Sperrstrom des CMOS).
bei jedem takt auch nicht, aber ca. alle 32-64ms
Spasstiger
2007-06-14, 19:47:50
bei jedem takt auch nicht, aber ca. alle 32-64ms
Ok, kann auch sein. Ich hab nur im Kopf, dass sich der Kondensator bei DRAM-Zellen über den Sperrstrom entleert und deshalb regelmäßig der Kondensator wieder aufgeladen werden muss.
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