Archiv verlassen und diese Seite im Standarddesign anzeigen : transistor bezeichnung
Hallo,
ich brauche transistoren, die eine Stromstäre am E-C Kreis bis 3A aushalten (besser noch mehr). die anliegende Spannung beträgt nur ein paar wenige Volt.
Ich habe schon nen kaputtes netzteil geschlachtet, finde ein paar transitoren, die vielversprechend ausshene, aber wie kann ich herausfinden, ob die das standhalten? gibt es irgendwo eine umfangreiche liste mir den transistoren und deren spezifikationen?
oder kann ich vom namen schon was herausfinden?
z.b gibts da ein E13009.
kann mir jemand da helfen?
barracuda
2007-07-23, 23:11:57
3 A sind pillepalle, da reicht z. B. ein billiger BD 243 C (100 V, 10 A, 65 W) für 19 cent bei Reichelt. Eventuell auch ein MOSFET wie z. B. den IRFZ 48N (55 V, 64 A, 140 W) kostet auch nur 65 cents.
Aus der Typenbezeichnung kannst du nicht auf die Belastbarkeit schließen. Daten vieler gebrüchlicher Teile u. A. Transistoren finden sich z. B. hier. (http://www.datasheetcatalog.com/)
Dann solltest du grob umreißen was du vorhast, soll der Transistor nur ein und aus schalten oder variabel regeln, welcher Art ist die angeschlossene Last?
danke für die antwort!
das einzigste, wofür die hinhalten müssen, ist zum ein und ausschalten.
es ist nur, dass ich noch ein paar platinen, die den geist aufgegeben haben, habe, wo sicher nützliche bauteile noch da sind. aber ich weiß eben nicht, welche transistoren ich rauslöten soll. besser ist wohl, ich nehme 50 transistoren und schaue dann nach, was die leisten ^^
ich würde zwar auch die paar cent ausgeben, abr bei reichelt muss man doch glaube 20 (?)Eu mindestbetrag oder so haben. und dann kommt ja noch versand hinzu.
aber danke auch für den link, das hilft mir sehr weiter!
kann ich auch von der bauform was erkennen, dass z.B. größere, meist gekühlte transistoren, mehr leistung haben?
Rhönpaulus
2007-07-25, 23:16:20
baue sie aus,entziffere die korrekte beschriftung,beschaffe dir die datenblätter und schaue dir die richtigen parameter an.
du wirst sowohl bipolare als auch fets finden.
du mußt auf den maximalen strom,die spannungsfestigkeiten und die zulässige verlustleistung achten.
der stromverstärkungsfaktor (hfe) kann eventuell auch eine rolle spielen.
wenn der nicht ausreicht kann man sich auch zwei transistoren in einer darlington-schaltung zusammenschalten wobei sich die beiden einzelnen faktoren multiplizieren.
war der auserwählte der belastung nicht gewachsen wird er halt durchbrennen aber du schreibst ja selber das du genügend ersatz vorrätig hast.
bei drei ampere dauerstrom und bipolaren transistor auf die kühlung achten.
er wird etwa 2w wärme abgeben wenn er durchgeschaltet ist.
2W verlustleistung? omg! das ganze soll für einen spannungsverfielfältiger sein, wenn aber an jedem transistor so viel wärme abgeht, dann hab ich amende einen wirkunugsgrad von 0,1% ^^
es wird vorrausichtlich im schnitt 2A mit einer spannung von vllt 3V fließen. das sind ja gerade mal 6W ^^
Rhönpaulus
2007-07-26, 11:32:06
am transistor fällt eine verlusteistung von uce*i ab.
bei siliziumtransistoren sind das 0,7v*i.
es zählt also der spannungsabfall über dem transistor,nicht seine schaltspannung.
fets sind da wesendlich genügsamer.
spannungsvervielfacher haben glaube ich generell keinen guten wirkungsgrad,auch wenn du weit über die befürchtetten 0,1% kommen wirst.
heißt das, dass dann immer eine Spannung von 0,7V abfällt?
dann kann ich das ja gleich vergessen, das ist ja schon die viertel von der eingangsspannung. welche transistoren gibt es denn da, wo die verlustleistung relativ gering ausfällt?
am transistor fällt eine verlusteistung von uce*i ab.
bei siliziumtransistoren sind das 0,7v*i.
Na ganz so viel sollte es net werden, wenn er für die schaltanwendung und den benötigten Strom (Ic), in abhängigkeit der verstärkung genug Basisstrom bekommt liegt die Sättigungsspannung auch deutlich niedriger bei z.B ~0,2V, ja je nach typ muß man halt mal die Datenblätter wälzen und nen geigneten typus wählen, das wären bei 2A 0,4W plus den Anteil der in der BE strecke verbraten wird.
heißt das, dass dann immer eine Spannung von 0,7V abfällt?
dann kann ich das ja gleich vergessen, das ist ja schon die viertel von der eingangsspannung. welche transistoren gibt es denn da, wo die verlustleistung relativ gering ausfällt?
nein Uce Satt ist nicht pauschal 0,7V..
Der Basis Emitter übergang hat bei Silizium theoretisch 0,7V
heißt das, dass dann immer eine Spannung von 0,7V abfällt?
dann kann ich das ja gleich vergessen, das ist ja schon die viertel von der eingangsspannung. welche transistoren gibt es denn da, wo die verlustleistung relativ gering ausfällt?
Wie gesagt suche dir datenblätter zu deinen Transis oder Fets,
bei den Fets gibt es viele mit sehr geringen RDSon die einen geringen Spg. abfall zu folge hat (in der anwendung, wenn denn die ansteurrung stimmt, wie bei den bipolaren) damit bleibt hier eine recht geringe verlustleistung..
was möchtest du eigentlich genau machen???
wie wäre es mit nem schönen DC/DC Boost Converter ??
z.B -> MC33063A Schaltregler ic
der ist günni, geht ab 3V am eingang + noch ein paar bauteile (R,C,L).
je nach auslegung sollten so 70% und mehr Wirkungsgrad drin sein.
Rhönpaulus
2007-07-26, 15:24:29
natürlich gelten die 0,7v nur für den voll durchgesteuerten bipolaren siliziumtransistor.
es ist die spannung die mindestens abfällt.
bei impulsbelastung geht es nur über integrale zu berechnen.
ich glaube ohne konkrete schaltung ist es müsig darüber zu diskutieren.
den vorschlag mit einem spezialisierten spannungskonverter kann ich nur unterstützen.
diskret aufgebaut ist sowas mehr eine bastelei welche natürlich auch funktionieren kann.
über spezialisierte schaltungen kommt man aber sicherer und effizienter zum ziel.
natürlich gelten die 0,7v nur für den voll durchgesteuerten bipolaren siliziumtransistor.
es ist die spannung die mindestens abfällt.
Von was reden wir hier?? UceSat??? nö die ist nicht min. 0.7 V, nicht pauschal..
Rhönpaulus
2007-07-26, 20:44:42
ich bin nicht sicher was du mit "UceSat" meinst.
über den kollektor-emitter fallen bei einem bipol. siliziumtransistor nunmal immer mindestens diese 0,7v ab und bei dotiertem germanium sind es etwa 0,4v.
wenn es mehr sind hast du einen transistor mit integierter darlingtonschaltung vor dir.
SpielKind
2007-07-26, 21:01:31
ich bin nicht sicher was du mit "UceSat" meinst.
über den kollektor-emitter fallen bei einem bipol. siliziumtransistor nunmal immer mindestens diese 0,7v ab und bei dotiertem germanium sind es etwa 0,4v.
wenn es mehr sind hast du einen transistor mit integierter darlingtonschaltung vor dir.
Uce Sat ist die Sättigungsspannung, die Spannung an Uce (Kollektor - Emitter)wenn er voll "offen/(durch/auf))gesteuert" ist abfällt, (Abhängig von Ic, Ib) und diese ist nicht min. 0.7V bei SI-bi's... auch bei Darlington nicht, Ube ist doppelt so hoch ~1,4V..
is aber auch egal...
Er soll was einfaches integriertes nehmen wie z.B den vorgeschlagenen, wobei der von haus aus nur 1,5A kann, da wäre noch nen EndTransistor(Fet) nötig. da kommt dann wenigstens bissel was anständiges bei raus, auch wenn 3V an der unteren grenze sind für diesen typ.
Gibt aber noch zahlreiche andere, der vorgeschlagenen ist aber recht günni, gibt es in der Farnell Apotheke für <1€, dafür isser okay,
der sollte auch bei Endkunden läden net so teuer sein.
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