boxleitnerb
2008-05-06, 11:48:44
Hallo zusammen.
Ich wüsste gerne, wie man aus dem Ausgangskennlinienfeld eines MOSFETs die Sättigungsströme für verschiedene Gatespannungen abliest. Wir haben in einem Praktikum die Kennlinien eines simulierten Transistors aufgenommen und die steigen im Sättigungsbereich alle noch etwas an (was wohl auf die für hohe Drain-Source Spannungen reduzierte Kanallänge zurückzuführen ist).
Mache ich einfach eine Extrapolation der Geraden und lese am Schnittpunkt mit der Drainstromachse ab? Ausrechnen ist nicht, ich hab die Beweglichkeit und den Kapazitätsbelag nicht gegeben.
Ich wüsste gerne, wie man aus dem Ausgangskennlinienfeld eines MOSFETs die Sättigungsströme für verschiedene Gatespannungen abliest. Wir haben in einem Praktikum die Kennlinien eines simulierten Transistors aufgenommen und die steigen im Sättigungsbereich alle noch etwas an (was wohl auf die für hohe Drain-Source Spannungen reduzierte Kanallänge zurückzuführen ist).
Mache ich einfach eine Extrapolation der Geraden und lese am Schnittpunkt mit der Drainstromachse ab? Ausrechnen ist nicht, ich hab die Beweglichkeit und den Kapazitätsbelag nicht gegeben.