Schaut mal her endlich mal ungefähre Specs zu NV40!

[RPD250802]

Posibile specificatii NV40

nVidia trebuie sa se miste repede, pentru ca ATi deja au inceput sa-i cam serveasca la micul dejun. Si in acest spirit, iata niste posibile specificatii ale unui Radeon killer, pe numele lui NV40:
- 300-350 Million Transistors on 90-nm process
- 750-800 MHz Core
- 16MB Embedded DRAM (134M trans.)
- 1.4 GHz 256-512MB DDR-II Memory
- 8 Pixel Rendering Pipelines (4 texels each)
- 16 Vertex Shader Engines
- 204.8 GB/sec Bandwidth (eDRAM)
- 44.8 GB/sec Bandwidth (DDR-II)
- 25.6 GigaTexels per Second
- 3 Billion Vertices per Second
- DirectX 10 (or extended 9.1)
- Release H2 2004
Sursa de unde provin aceste informatii este aceeasi care anunta specificatiile NV30 chiar inainte de aparitia GeForce 4, aceste specificatii dovedindu-se in proportie de 90% corecte.



Leider auf italienisch unter http://www.pixelrage.ro/news/full_story/EpuVkEFFAkGcyJKhcW.php


;)

[betasilie]

So ein Monster Anfang 2004 ? :o


edit:
Auch H2 2004 ist das ein Monster. Falls da was wahres dran ist, hat NV aber schön bei Sony abgeguckt. ;)

[Demirug]

Was zur Hölle wollen die mit 16 VS bei "nur" 8 Pixelpiplines. Das erscheint mir etwas überdimensioniert.

zudem erscheint mir schon wieder ein Processwechsel doch etwas zu früh.

[Cra$h]

Und wie soll DAS denn gekühlt werden? Mit einem Gefrierschrank? Da darf man dann ja gespannt sein...

[-d0pExXx-]

also bei dem preis, das das ding kosten wird, kann man schon nen gefrierschrank als beigabe erwarten :D

[-d0pExXx-]

*grrrr
ich hasse es wenn mein rechner sich ausloggt

[zeckensack]

So ein Blödsinn :lol:

[Salvee]

Italienisch ?
.ro steht imo nicht für Rom ;)

[nagus]

Originally posted by zeckensack
So ein Blödsinn :lol:

dem kann ich nur zustimmen. wirklich der lacher des tages diese "specs" :lol::lol::lol:


... vielleicht fürs jahr 2005 realistisch.

[StefanV]

Originally posted by Salvee
Italienisch ?
.ro steht imo nicht für Rom ;)

war .ro nicht da, wo der 'größte' 'deutsche' Sänger herkommt ??

Peter Maffay :naughty:

[StefanV]

Originally posted by nagus


dem kann ich nur zustimmen. wirklich der lacher des tages diese "specs" :lol::lol::lol:


... vielleicht fürs jahr 2005 realistisch.

...wenn nicht sogar 2006 :naughty:

[Salvee]

Originally posted by Stefan Payne


war .ro nicht da, wo der 'größte' 'deutsche' Sänger herkommt ??

Peter Maffay :naughty:

Du meinst den kleinen Moränen ? :naughty:

[[ncp]EasyChiller]

wenn ich mir angugge von wann die New's da ist .... alles nur Wunschdenken! ... auch an ne 8*4-Architektur glaube ich nun eher nicht! ;D ... trozdem schön auch mal wieder solchen Unfug zu lesen! ;D

Aber Hammer find ich die "1,4GHz DDR-2" ... glaub ich nicht, das es solchen Ram jehmals geben wird! :D

[Ailuros]

Na so manche hoffen schon wieder dass NV40 ein voller TBDR sein wird. Wenn dann sieht es eher nach einem doofen Tiler aus ;D

j/k

[Ailuros]

Originally posted by Demirug
Was zur Hölle wollen die mit 16 VS bei "nur" 8 Pixelpiplines. Das erscheint mir etwas überdimensioniert.

zudem erscheint mir schon wieder ein Processwechsel doch etwas zu früh.

Es wurde falsch uebersetzt; das Original ist ein Rezept fuer sizilianische Papardellen :D

[seahawk]

0,09 Prozess ist durch die Partnerschaft mit IBM möglich.

1,4 ghz DDRII meint wahrscheinlich 700 mhz DDR II.

[Quasar]

Originally posted by RPD250802
Posibile specificatii NV40
- 300-350 Million Transistors on 90-nm process
- 750-800 MHz Core
- 16MB Embedded DRAM (134M trans.)
- 1.4 GHz 256-512MB DDR-II Memory
- 8 Pixel Rendering Pipelines (4 texels each)
- 16 Vertex Shader Engines
- 204.8 GB/sec Bandwidth (eDRAM)
- 44.8 GB/sec Bandwidth (DDR-II)
- 25.6 GigaTexels per Second
- 3 Billion Vertices per Second
- DirectX 10 (or extended 9.1)
- Release H2 2004
Buaaaahaaahaaaaaa! *heul* :rofl:


Auf einmal geht man wieder zurück auf 4 TMUs? Neeeeeeeeeeeeeee.

Und 0,7ns (denn rechnerisch sind 1400 echte MHz gemeint) DDR-II ist noch nichtmal angekündigt. 1,4ns steht für Ende des Jahres auf dem Wunschzettel der Speicherhersteller.

[Unregistered]

Originally posted by Quasar

Buaaaahaaahaaaaaa! *heul* :rofl:


Auf einmal geht man wieder zurück auf 4 TMUs? Neeeeeeeeeeeeeee.

Und 0,7ns (denn rechnerisch sind 1400 echte MHz gemeint) DDR-II ist noch nichtmal angekündigt. 1,4ns steht für Ende des Jahres auf dem Wunschzettel der Speicherhersteller.
bei grakarts war es schon immer so das die speicher dort weitaus höher getaktet werden können also möglich und es wird wohl gdr oder wie sollte der ram für grakarts jetzt heisen?

Und hört sich auch nur so an wie projekt serie5 glaze 3d und soweiter.

aber bei nv kann man davon ausgehen das sie keine probleme mit kohle und herstellung haben wie die bit boys

[robbitop]

4TMUs pro pipe sind, wenn diese vernünftig designed ist, völlig sinnvoll.

Rechnen wir mal: trilineare Filterung (ist STANDARD): sind es nur noch 8x2. Tja und da die Games ja jetzt schon und dann nochmehr Multitexturing exzersiv machen, absolut Sinnvoll. Weisst du wieviele Transistoren es kostet, mal eben alle Pipes zu duplizieren? Wozu?

16VS: Totaler Quark
16MB eDRAM: reicht nicht mal für nen onDie Framebuffer, hierfür müssten es schon 32 sein.
Transistormengen: Unsinn es werden 150-160Mio
DDR RAM. durchaus machbar. Mittelfristig wird es 800Mhz geben (physikalisch)
-Ferigung: 0,09m? nein. Bis dahin hat nichtmal IBM das bei so ko,mplexen Chips drauf. Es sind 0,13µ mit lowK und evl SOI.

ich erwarte vor allem höhere Füllrate, ein neues AA/AF, mehr Bandbreite, VS/PS30, auch dort hohe Leistung. Mehr TMUs..nichts ungewöhnliches. Mehr wird es beim R400 auch nicht sein.

Diese Specs sind frühestens zum NV5x realisierbar und nutzbar.


Mal ne kleine Frage: warum wird der NV30 so warm? warum sind die Radeon so kühl? warum soll der NV35 mit weniger Kühllösung bei gleichem Fertigungsprozess auskommen?
Antwort: Leckströme. Ein Design kann hier massgebend für solchen Aspekt sein. Das macht ATi sehr gut und NV ist auf besten Wege dahin.
Warum ist der NV30 speziell so heiss? Weil er eben auf lowK ausgelegt worden ist, ohne dies sind die Leckströme sehr stark. Ein Redeisgn hätte zuviel Zeit gekostet. Das hat der NV35 erledigt nun. Dann der R300/350 ...nochmal von 400 auf 500Mhz rauf. Und da wundert sich einer über den Staubsauger?...

[Richthofen]

jo das Staubsauger Problem kann man hier getrost TSMC anlasten.
Ein Redesign hätte viel zu lange gedauert.
Da hat man das in Kauf genommen.

Alles an der Kühlung finde ich aber nicht schlecht.
Die Temperaturüberwachung und dynamische Lüfterbehandlung bzw. Taktung finde ich sehr gut.
Ich hoffe das behalten sie im NV35 drinn.

[robbitop]

naja als Waküler ist einem das egal ;-P

[seahawk]

0,09 halte ich für möglich. Die haben ein Jahr das hinzukriegen ....und IBM dürfte TSMC da überlegen sein. Könnnte auch den Deal mit IBM erklären.

[Kiwi]

Ist ja geil! Auf Rumänisch, meiner Muttersprache. Ich übersetze mal eben den kurzen Kommentar unter den Specs:

"Die Quelle dieser Informationen ist jene, die kurz vor Release der GF4-Karten über die Spezifikationen des NV30 spekuliert hat. Diese Spekulationen haben sich zu 90% bewahrheitet."

Cool, die Seite hat sogar ein Forum. Erstmal anmelden und mein Rumänisch aufbessern.:D

Gruß, Kiwi.

[robbitop]

jo ist aber alt das ganze..habbich im Februar schonmal gelesen.

diesmal haut das ganze nicht hin imho ;-)

[Spake]

wenn das DING irgendwann rauskommt heißt es bestimmt GeTanium und wird bei ntel gefertigt
die werden für so ein monster den 0.09um fertigungsprozeß erst 2005 bei ihrem neuesten itanium-monster anwenden(bei den transistoren)

ganz nebenbei hier meine vermutung zu den fertigungsprozessen und wann sie benutzt werden(über die wunsch/horror-vorstellungen der Seite muss ich wohl nicht mehr sagen oder ???):
- der nv40 benutzt noch 0.13
es wird nicht direkt auf 0.09 gewechselt da man dort noch probs hat
-der nv45/nv50 wird demnach wohl noch 0.11um benutzen
-der nv60 wird frühestens 0.09um benutzen

und bevor hier irgendwer meint mich einfach demütigen zu wollen sei eins gesagt:
wir sind hier im speku-forum also bitte griffige vermutungen/beweise und nicht irgendwelche bescheuerten kommentare ohne anhalt oder sonstwas

[betasilie]

Originally posted by Kiwi

Cool, die Seite hat sogar ein Forum. Erstmal anmelden und mein Rumänisch aufbessern.:D

Gruß, Kiwi.
Dann bist Du ab jetzt der offizielle 3DC-Korrespondent in Rumänien. :D ... Berichte mal.

[Raff]

Ich halte die 0,09µm auch für sehr unwahrscheinlich, die Jungs haben doch gerade erst auf 0,13 umgestellt. Jetzt, wo sie so langsam die Probleme mit diesem Fertigungsprozess in den Griff kriegen, werden die doch nicht gleich zum Nächsten übergehen, zudem der anfangs wohl auch Probleme machen wird. Nachher kommt wieder ein Fön dabei raus...nee, danke. Abgesehen davon: Können die das 2004 schon machen?
Und auf mindestens 700 MHz Core-Takt sollten die mit dem "alten" Fertigungsprozess auch kommen, man schaue sich an, was ATi mit dem 0,15er so alles anstellt...

MfG
Raff

[[ncp]EasyChiller]

Originally posted by seahawk
1,4 ghz DDRII meint wahrscheinlich 700 mhz DDR II.

Ok, ja der Bandbreite nach sind klar real 700 MHz gemeint! (wenn ma von nem 256-bit Ram-Interface ausgeht) ... allerdings behaupte ich jetzt einfach mal, das selbst mit "nur" 700 MHz getakteter DDR-2 Speicher NIE auf irgendeiner GraKa verbaut werden wird! ;D

Nach eigener Aussage von NVDA wollen die die GDDR-Entwicklungen im Auge behalten und erstmal schauen ob und wieviel das bringt... und sie werden dabei unweigerlich feststellen, das GDDR-3 (wird wohl dann eher relevant sein als GDDR-2) gegenüber normalen DDR-2 kleine aber feine Vorteile bringt ... und entweder werden sie auf den GDDR-3-Zug aufspringen, oder aber ihren eigenen GDDR-Standard releasen! :D (da wir hier im Spekulatius-Forum sind war das letzte jetzt alles nur ne reine Speku meinerseits!) =)

[robbitop]

0,11µ gibt es nicht..IBM beherrscht derzeit 0,1µ.
0,09µ nächstes Jahr bei komplexen Chips.
NV40 wird 0,13µ lowK evl auch SOI sein.
NV50 vieleicht 0,09µ

[Raff]

Originally posted by robbitop
0,11µ gibt es nicht..IBM beherrscht derzeit 0,1µ.
0,09µ nächstes Jahr bei komplexen Chips.
NV40 wird 0,13µ lowK evl auch SOI sein.
NV50 vieleicht 0,09µ

Ich spekuliere auf die Nutzung des 0,09µm-Prozesses schon für den NV45 - Ende 2004 sollte das machbar sein. :D

btw: In was ist der GeForce2 gefertigt? 0,18?

MfG
Raff

[ow]

Originally posted by Raff

btw: In was ist der GeForce2 gefertigt? 0,18?

MfG
Raff

Ja, Gf2 ist in 0.18.

[StefanV]

Originally posted by Raff


Ich spekuliere auf die Nutzung des 0,09µm-Prozesses schon für den NV45 - Ende 2004 sollte das machbar sein. :D

btw: In was ist der GeForce2 gefertigt? 0,18?

MfG
Raff

PRO, GTS, ULTRA -> 0,18
TI -> 0,15 (angeblich)

[Endorphine]

Originally posted by Stefan Payne


PRO, GTS, ULTRA -> 0,18
TI -> 0,15 (angeblich)
PRO, GTS, ULTRA -> 0,18 µm
TI -> 0,15 µm (de facto)

[Crazytype]

würdem die specs nicht schon vor monaten auf ner us oder uk site geposted? 700MHz ddr-II wird dieses jahr realität(samsung)

[[ncp]EasyChiller]

wo steht das mit 700mhz-ddr2 und samsung? ???

[Demirug]

Originally posted by [ncp]EasyChiller
wo steht das mit 700mhz-ddr2 und samsung? ???

Bei Samsung: http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/common/product_list.jsp?family_cd=GME0902

sind sogar etwas mehr als 700 Mhz und 512MBit Chips. Die sind auch notwendig wenn man 256 MB Karten bauen (ohne erhebliche überlänge) will.

[Quasar]

Originally posted by Unregistered

bei grakarts war es schon immer so das die speicher dort weitaus höher getaktet werden können also möglich und es wird wohl gdr oder wie sollte der ram für grakarts jetzt heisen?

Und hört sich auch nur so an wie projekt serie5 glaze 3d und soweiter.

aber bei nv kann man davon ausgehen das sie keine probleme mit kohle und herstellung haben wie die bit boys

Ja, schon. Aber 1400MHz sind ca. das doppelte von dem, was momentan angekündigt ist und 500MHz DDR-II ist schon ewig lange vorher angekündigt worden...

[Quasar]

Originally posted by robbitop
4TMUs pro pipe sind, wenn diese vernünftig designed ist, völlig sinnvoll.

Rechnen wir mal: trilineare Filterung (ist STANDARD): sind es nur noch 8x2. Tja und da die Games ja jetzt schon und dann nochmehr Multitexturing exzersiv machen, absolut Sinnvoll. Weisst du wieviele Transistoren es kostet, mal eben alle Pipes zu duplizieren? Wozu?

AFAIK gibt's da ein paar Probleme, wenn man mit Pixelshadern mehr als eine TMU nutzen will.
Was glaubst du, warum ist man von 4x2, bzw. 2x2-Designs bei DX7-Chips auf 4x1 bzw. 8x1-Designs (ja, nV30 ist eine seltsame Ausnahme) gegangen, und warum sind diese dann auch noch schneller, bzw. im Umkehrschluß: Wie extrem verbockt ist Parhelia, daß ihm seine 4 [!] TMUs nichts nutzen?

Viel sinnvoller wäre es IMO, zumindest mal tri-TMUs zu bringen, besser gleich AF-taugliche.

[[ncp]EasyChiller]

LOL ... das ist doch GDDR-2! .. (quasi auch blos DDR-2 - aber halt nicht ganz) .. denn NV hat verlauten lassen BISHER NIX MIT GDDR GEPLANT zu haben, sondern erst mal abwarten zu wollen - also wiso sollten die danne den NV-40 vor allem mit GDDR-2 ausstatten wollen?! ;D ich bleibe dabei, das ORGINALER DDR-2 (mit den entsprechenden Spannungen) NIE auf irgendeiner GraKa mit 700 MHz oder mehr verbaut werden wird! =)

edit: wie ich oben schon geschrieben habe, die können nur 700MHz gemeint haben ... da nur dort das ganze mit 256-bit-DDR-anbindung auch auf die angegebene Bandbreite von 44,8 GB/sek kommt! =) (also nix 1400 MHz)

[Xmas]

Originally posted by [ncp]EasyChiller
LOL ... das ist doch GDDR-2! .. (quasi auch blos DDR-2 - aber halt nicht ganz) .. denn NV hat verlauten lassen BISHER NIX MIT GDDR GEPLANT zu haben, sondern erst mal abwarten zu wollen - also wiso sollten die danne den NV-40 vor allem mit GDDR-2 ausstatten wollen?! ;D ich bleibe dabei, das ORGINALER DDR-2 (mit den entsprechenden Spannungen) NIE auf irgendeiner GraKa mit 700 MHz oder mehr verbaut werden wird! =)
???
Der Speicher der auf den NV30-Boards zu finden ist, ist eben dieser Speicher, der von Samsung "GDDR2" genannt wird.
Solcher "normaler" DDR2-Speicher, wie er auch auf Hauptspeichermodulen verbaut werden soll, wird wohl tatsächlich nie auf Grafikkarten zu finden sein, egal bei welcher Taktrate.

[Demirug]

Originally posted by Quasar

AFAIK gibt's da ein paar Probleme, wenn man mit Pixelshadern mehr als eine TMU nutzen will.
Was glaubst du, warum ist man von 4x2, bzw. 2x2-Designs bei DX7-Chips auf 4x1 bzw. 8x1-Designs (ja, nV30 ist eine seltsame Ausnahme) gegangen, und warum sind diese dann auch noch schneller, bzw. im Umkehrschluß: Wie extrem verbockt ist Parhelia, daß ihm seine 4 [!] TMUs nichts nutzen?

Viel sinnvoller wäre es IMO, zumindest mal tri-TMUs zu bringen, besser gleich AF-taugliche.

Das einzige Problem das man bekommt ist das der Leistungsverschnitt höher werden kann. Aber auch bei nur einer TMU und einer ALU kommt es vor das einer der beiden Partner nichts zu tun hat. Verbaut man mehrer davon steigt die Wahrscheinlichkeit dafür das einheiten untätig sind.

Aber trotzdem erlauben 2 bi TMUs immer noch etwas mehr flexibilität und (Roh)Leistung als eine tri-TMU.

Was man aber bedenken muss Bei einem PS 3.0 Chip müssen die Pixelshader einen grossen Schrit in Richtung allgemeine CPU gehen in wie weit da das klasiche Pipelinedesign noch benutzt wird muss sich zeigen.

[[ncp]EasyChiller]

Originally posted by Xmas

???
Der Speicher der auf den NV30-Boards zu finden ist, ist eben dieser Speicher, der von Samsung "GDDR2" genannt wird.
Solcher "normaler" DDR2-Speicher, wie er auch auf Hauptspeichermodulen verbaut werden soll, wird wohl tatsächlich nie auf Grafikkarten zu finden sein, egal bei welcher Taktrate.

Der Ram auf den NV-30-Boards soll wirklich GDDR-2 sein??! wo kann ich das nachlesen? :O (hat evtl. mal jemand genaue Bezeichnungen der Chips?)

[Demirug]

Originally posted by [ncp]EasyChiller


Der Ram auf den NV-30-Boards soll wirklich GDDR-2 sein??! wo kann ich das nachlesen? :O (hat evtl. mal jemand genaue Bezeichnungen der Chips?)

Hier gibt es ein Bild von den Chips auf einem NV30 Board: http://www.digit-life.com/articles2/gffx/asus-v9900u.html

Und hier die Daten dazu: http://www.samsung.com/Products/Semiconductor/GraphicsMemory/GDDR_IISDRAM/128Mbit/K4N26323AE/K4N26323AE.htm

[robbitop]

@Quasar
die Parhelia war ein einziger Designfehler ..vermutlich durch mangelnde Erfahrung, Leute, F&E Ressourcen.
4TMUs werden schon ineffizienter, aber immer noch besser, als einfach nur die Pipelines zu duplizieren.
Man kann mehr als 1e ALU pro Pipeline verbauen. Oder man macht das so wie beim NV30.
in diese Richtung wird das eh alles gehen.

[[ncp]EasyChiller]

hmm ... das da bei samsung wird wohl eindeutig als GDDR-2 gelistet ... nur erscheint mir die Spannung nen bissl hoch:
2.5V ± 0.1V power supply for device operation
1.8V ± 0.1V power supply for I/O interface


... nun bin ich aber total verwirrt! :( ... dabei hat doch der normale DDR-2 nur 1,8 auf beiden!! .. sollte nicht GDDR erst recht niedrigere Spannungen haben? ???
http://www.samsungusa.com/cgi-bin/nabc/semiconductors/search/productview.jsp?prd_code=32580 ???

[Demirug]

Originally posted by [ncp]EasyChiller
hmm ... das da bei samsung wird wohl eindeutig als GDDR-2 gelistet ... nur erscheint mir die Spannung nen bissl hoch:
2.5V ± 0.1V power supply for device operation
1.8V ± 0.1V power supply for I/O interface


... nun bin ich aber total verwirrt! :( ... dabei hat doch der normale DDR-2 nur 1,8 auf beiden!! .. sollte nicht GDDR erst recht niedrigere Spannungen haben? ???
http://www.samsungusa.com/cgi-bin/nabc/semiconductors/search/productview.jsp?prd_code=32580 ???

Der GDDR-II Speicher ist ja auch fast doppelt so schnell wie der DDR-II Speicher. Geschwindigkeit hat einen Preis.

[Unregistered]

Originally posted by Spake
wenn das DING irgendwann rauskommt heißt es bestimmt GeTanium und wird bei ntel gefertigt
die werden für so ein monster den 0.09um fertigungsprozeß erst 2005 bei ihrem neuesten itanium-monster anwenden(bei den transistoren)

ganz nebenbei hier meine vermutung zu den fertigungsprozessen und wann sie benutzt werden(über die wunsch/horror-vorstellungen der Seite muss ich wohl nicht mehr sagen oder ???):
- der nv40 benutzt noch 0.13
es wird nicht direkt auf 0.09 gewechselt da man dort noch probs hat
-der nv45/nv50 wird demnach wohl noch 0.11um benutzen
-der nv60 wird frühestens 0.09um benutzen

und bevor hier irgendwer meint mich einfach demütigen zu wollen sei eins gesagt:
wir sind hier im speku-forum also bitte griffige vermutungen/beweise und nicht irgendwelche bescheuerten kommentare ohne anhalt oder sonstwas So nun aber

AMD und IBM wollen gemeinsam modernste Chiptechnologien entwickeln



SUNNYVALE, CA und EAST FISHKILL, N.Y. -- 8. Januar 2003 --AMD (NYSE: AMD) and IBM (NYSE: IBM) haben heute eine Vereinbarung bekannt gegeben, nach der beide Unternehmen jetzt gemeinsam Technologien zur Produktion von zukünftigen Hochleistungschips entwickeln wollen.

Die von AMD und IBM zu entwickelnden neuen Prozesse zielen darauf ab, die Leistung von Mikroprozessoren weiter zu verbessern und den Stromverbrauch zu reduzieren. Diese Prozesse werden modernste Strukturen und Materialien wie superschnelle Silicon-on-Insulator (SOI) Transistoren, Kupfertechnologie sowie eine verbesserte „low-k-dielectric“ Isolierung einsetzen.

Die Vereinbarung beinhaltet die Zusammenarbeit in der 65 und 45 Nanometer (nm) Technologie, die auf 300mm Wafern Verwendung finden soll.

„Wir wollen unsere 90 Nanometer Produktion bereits im vierten Quartal 2003 einsetzen. Deshalb erweitern wir unsere Entwicklung jetzt auf Prozesstechnologien für unsere nächste Prozessorgeneration, die Strukturgrößen von 65nm und darunter aufweisen wird“, sagte Bill Siegle, Senior Vice President, Technology Operations und AMDs Chief Scientist. “Durch eine Zusammenarbeit mit einem Industrieführer wie IBM, kann AMD seinen Kunden höchste Leistungen und beste Funktionalitäten liefern und zugleich die immens wachsenden Entwicklungskosten reduzieren.“

Das was für AMD gilt paßt auch für NV! Heißt 0,9 SOI und low k Kupfer connect und Germanium Transistoren!


IBM is a recognized innovator in the chip industry, having been first with advances like more power-efficient copper wiring in place of aluminum, faster silicon-on-insulator (SOI) and silicon germanium transistors, and improved low-k dielectric insulation between chip wires


AMD und IBM werden in der Lage sein, die gemeinsam entwickelten Technologien in ihren eigenen Werken aber auch bei ausgewählten Produktionspartnern einzusetzen. Die beiden Unternehmen erwarten erste Produkte in der 65nm Technologie für das Jahr 2005.


Also, nv muß eh den herstellungsprozess ändern also wird es wohl gleich auf oben genannte Ressourcen desigend (0,9)da cpus schon so hergestellt werden(in dem Zeitraum) werden es bei grakarts wie immer kleinere Strukturen sein!


@robbitop also IBM kann das sehr wohl eigene Server cpu/AMD Hammer alles diese Jahr in 0,9!

Nebenbei reichen 16 Mb edram kommt darauf an wofür er genutzt wird möglich wäre das es nur caches sind!

[robbitop]

Unsinn,
1.Ger Si bringt bei GPUs nicht allzuviel
2. GPUs sind um ein vielfaches kompexer (CPU sind nur ein paar mio Transistoren der Rest = Cache) und eine sehr parallel arbeitende Einheit.
Was meinst du warum es jetzt so schwer ist 0,13m 125Muio Trans GPUs zu fertigen? Intel konnte ihren P4 vor fast 2 Jahren mit 0,13µ Cu Interconn fertigen.
3. Geplant ist erstmal nur lowK 0,13µ
SOI kommt später.

Und wer weiss wie gut IBM alles weitere behersst, nebenbei spielen Kosten eine wichtige Rolle.

"Wären die Mittel unbeschränkt, bräuchte man beim Design keine Kreativität" das sagte ein renomierter Designer und das gilt auch hier.

[Spake]

Originally posted by Unregistered
So nun aber

AMD und IBM wollen gemeinsam modernste Chiptechnologien entwickeln



SUNNYVALE, CA und EAST FISHKILL, N.Y. -- 8. Januar 2003 --AMD (NYSE: AMD) and IBM (NYSE: IBM) haben heute eine Vereinbarung bekannt gegeben, nach der beide Unternehmen jetzt gemeinsam Technologien zur Produktion von zukünftigen Hochleistungschips entwickeln wollen.

Die von AMD und IBM zu entwickelnden neuen Prozesse zielen darauf ab, die Leistung von Mikroprozessoren weiter zu verbessern und den Stromverbrauch zu reduzieren. Diese Prozesse werden modernste Strukturen und Materialien wie superschnelle Silicon-on-Insulator (SOI) Transistoren, Kupfertechnologie sowie eine verbesserte „low-k-dielectric“ Isolierung einsetzen.

Die Vereinbarung beinhaltet die Zusammenarbeit in der 65 und 45 Nanometer (nm) Technologie, die auf 300mm Wafern Verwendung finden soll.

„Wir wollen unsere 90 Nanometer Produktion bereits im vierten Quartal 2003 einsetzen. Deshalb erweitern wir unsere Entwicklung jetzt auf Prozesstechnologien für unsere nächste Prozessorgeneration, die Strukturgrößen von 65nm und darunter aufweisen wird“, sagte Bill Siegle, Senior Vice President, Technology Operations und AMDs Chief Scientist. “Durch eine Zusammenarbeit mit einem Industrieführer wie IBM, kann AMD seinen Kunden höchste Leistungen und beste Funktionalitäten liefern und zugleich die immens wachsenden Entwicklungskosten reduzieren.“

Das was für AMD gilt paßt auch für NV! Heißt 0,9 SOI und low k Kupfer connect und Germanium Transistoren!


IBM is a recognized innovator in the chip industry, having been first with advances like more power-efficient copper wiring in place of aluminum, faster silicon-on-insulator (SOI) and silicon germanium transistors, and improved low-k dielectric insulation between chip wires


AMD und IBM werden in der Lage sein, die gemeinsam entwickelten Technologien in ihren eigenen Werken aber auch bei ausgewählten Produktionspartnern einzusetzen. Die beiden Unternehmen erwarten erste Produkte in der 65nm Technologie für das Jahr 2005.


Also, nv muß eh den herstellungsprozess ändern also wird es wohl gleich auf oben genannte Ressourcen desigend (0,9)da cpus schon so hergestellt werden(in dem Zeitraum) werden es bei grakarts wie immer kleinere Strukturen sein!


@robbitop also IBM kann das sehr wohl eigene Server cpu/AMD Hammer alles diese Jahr in 0,9!

Nebenbei reichen 16 Mb edram kommt darauf an wofür er genutzt wird möglich wäre das es nur caches sind!
öhm ja aber cpus haben ja noch lange nicht die 100 millionen transistoren grenze überschritten und können deshalb auch schneller an einen neuen fertigungsprozeß angepasst werden(liegt neben dem fertigungsprozeß auch am großen cache der fast schon den ganzen prozessor ausmacht)

grafikkarten benutzen eben kleinere fertigungsprozesse viel später als cpus
schau dir das posting von robbitop an und dort das beispiel mit nvidias nv30

ich hab extra in meinem posting oben den itanium erwähnt welcher ein ganz schönes transistorenmonster ist
dieser wird ja erst 2005 0.09um benutzen

bei grafikkarten wird man wohl der einfachheit auf einen zwischenprozeß setzten ähnlich 0.15um(dieser liegt ja aucha als zwischenstufe zwischen 0.18 und 0.13)

von Ati werden wir erst 2004 eine gpu in 0.13 um sehen also werden wir wohl frühestens 2005 mit einer gpu in 0.09 um rechnen können
einen neue technologie bedeutet am anfang immer niedrige yields, hohe kosten(z.T. auch für die umstellung) und andere probs
nvidia wird sich trotz IBM im rücken davor hüten zu früh auf 0.09 zu wechseln und die schwierigkeiten des nv30 noch einmal zu wiederholen

[Winter[Raven]]

öhm ja aber cpus haben ja noch lange nicht die 100 millionen transistoren grenze überschritten und können deshalb auch schneller an einen neuen fertigungsprozeß angepasst werden

Du weisst aber das der Hammer fast 100 Millionen transis hatt oder ? ... auch wenn diese fast in dem Cache sitzen !

[StefanV]

Originally posted by Shakiro

Du weisst aber das der Hammer fast 100 Millionen transis hatt oder ? ... auch wenn diese fast in dem Cache sitzen !

Soweit ich weiß hat der Hammer 10% mehr Transis/DIE Fläche als der T-Bred...

Oder welchen Hammer meinst du ??

[Winter[Raven]]

Soweit ich weiss, hatt jeder Hammer, ob Opteron auch auch der Desktop Hammer um die 100 Millionen drauf !

[robbitop]

ist fast egal...die sind beide gross. Der Athlon64 wird grösser als geplant durch den 1MB Cache..und ja es ist ein SEHR grosser Unterschied, ob das Cache ist, oder andrere Chiplogik. Zumal eine GPU eine hochparallel arbeitende Einheit ist, somit ist sie schon wieder ganz anders herzustellen und und besitzt andere Schwierigkeiten (zB Ger/Si bringt hier nicht allzuviel).
Wichtig ist auch hier das Design das die Leckströme ausmacht.

[Endorphine]

Originally posted by robbitop
Zumal eine GPU eine hochparallel arbeitende Einheit ist, somit ist sie schon wieder ganz anders herzustellen und und besitzt andere Schwierigkeiten (zB Ger/Si bringt hier nicht allzuviel).Wie kommst du denn jetzt da drauf? Bei den derzeitigen und zukünftigen Takten würde ich eher darauf kommen, GaAs zu verwenden.

[robbitop]

das habe ich mal gelesen...ok ich lasse mich gern eines besseren Belehren.

Dann schiess mal los..was ist Ger/As?

[Demirug]

Endorphine was willst du mit GaAs (Gallium-Arsenid) Germanium auf Silizium ist doch viel besser.

robbitop, Germanium auf Silizium bringt auch bei GPUs was. in Germanium bewegen sich Elektronen einfach viel schneller als in Silizium. Man erreicht also bei gleicher elementgrösse viel schnellere Schaltzeiten.

[StefanV]

Originally posted by Demirug
Endorphine was willst du mit GaAs (Gallium-Arsenid) Germanium auf Silizium ist doch viel besser.

robbitop, Germanium auf Silizium bringt auch bei GPUs was. in Germanium bewegen sich Elektronen einfach viel schneller als in Silizium. Man erreicht also bei gleicher elementgrösse viel schnellere Schaltzeiten.

Ist die Durchbruchspannung bei GE nicht auch geringer als bei SI ??
Allerdings ist das el. Verhalten von GE bescheidener als das von SI...

PS: wir kommen solangsam in SPannungsbereiche, die für SI kritisch werden, bzw sind da schon.

Die Durchbruchspannung bei SI sind 0,7V, davon sind wir nicht weit weg...
Bei GE sinds 0,3V...

[robbitop]

danke Demi..aber es ist nicht in der Intensität wie bei ner CPU (genau das wollte ich sagen..), oder? (also Ger/Si)

[Demirug]

Stefan Payne, was meinst du mit elektrischem Verhalten?

robbitop, es macht keine unterschied ob man nun eine CPU, eine GPU oder was auch immer baut. Jede noch so kleine Zeiteinheit die ein Transitore schneller schaltet kann man direkt in Taktrate umsetzten.

[StefanV]

Originally posted by Demirug
Stefan Payne, was meinst du mit elektrischem Verhalten?

Der WIderstand, wenn ichs recht in Erinnerung hab.

Bei SI geht er steil nach oben, bei GE ists eine 'pisslinie'.

[robbitop]

danke Demi und wieder dazugelernt

@Stefan:
nicht solche Fikalwörter hier ;-)

[Demirug]

Originally posted by Stefan Payne


Der WIderstand, wenn ichs recht in Erinnerung hab.

Bei SI geht er steil nach oben, bei GE ists eine 'pisslinie'.

Ach du meinst die Durchbruchskennlinie.

Bei SI bricht der Widerstand bei ca 0,7V fast vollständig zusammen. Bei GE beginnt der Widerstand schon früher zu sinken. Allerdings ist es dort nicht so Schlagartig.

Alles was man bei einem GE Transitor tun muss ist die Schaltpegel sehr genau einzuhalten. Schwankungen in den Referenzspannungen können da ganz schnell zu Problemen führen.

[zeckensack]

Cool, alternative Halbleiter :D

Warum benutzt man eigentlich keine Schottky-Logik? Das halbiert AFAIR die 'Minimalspannung', der wir uns (bezogen auf Si) tatsächlich bedrohlich nähern.

[Demirug]

Originally posted by zeckensack
Cool, alternative Halbleiter :D

Warum benutzt man eigentlich keine Schottky-Logik? Das halbiert AFAIR die 'Minimalspannung', der wir uns (bezogen auf Si) tatsächlich bedrohlich nähern.

Nein die Durchschaltspannungen sind im Prinzip die gleichen. Schottky-Logik hat lediglich schnellere Schnellere Schaltzeiten. Das ganze wird dadurch erreicht das man von der Basis zum Kollektor einen Dioden Bypass legt welcher eine Überstätigung der Basisschicht verhindert. Dadurch kann der Transitore schneller wieder in den nicht leitendes Zustand gebracht werden weil weniger Elektronen von der Basis abgezogen werden müssen.

Die Sache hat aber ein paar Nachteile. Die Diode braucht zusätzlichen Platz und die Leistungsaufnahme ist etwa doppelt so hoch wie bei standard Transitoren.

[zeckensack]

Hmmm, wenn du es sagst :D

Nur mal 'just for the record', wie ich's in meiner verklärten Erinnerung hatte:
Achtung, wahrscheinlich komplett falsch!
Bei Schottky werden keine PN/NP-Übergänge konstruiert, sondern übergänge einer dotierten 'Si-Hälfte' zu Metall.

[Demirug]

Originally posted by zeckensack
Hmmm, wenn du es sagst :D

Nur mal 'just for the record', wie ich's in meiner verklärten Erinnerung hatte:
Achtung, wahrscheinlich komplett falsch!
Bei Schottky werden keine PN/NP-Übergänge konstruiert, sondern übergänge einer dotierten 'Si-Hälfte' zu Metall.

Nein so falsch ist das nicht. Auf dieses Weise (Metal/SI) baut man Schottky Dioden und diese Dioden werden dann als Bypass bei der Schottky Logik benutzt. Und ja die Durchburchspannung bei einer Schottky Diode ist geringer als bei einer reinen Silizium Diode. Sonst würde Schottky Logik auch nicht funktionieren.

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
Unsinn,
1.Ger Si bringt bei GPUs nicht allzuviel
2. GPUs sind um ein vielfaches kompexer (CPU sind nur ein paar mio Transistoren der Rest = Cache) und eine sehr parallel arbeitende Einheit.
Was meinst du warum es jetzt so schwer ist 0,13m 125Muio Trans GPUs zu fertigen? Intel konnte ihren P4 vor fast 2 Jahren mit 0,13µ Cu Interconn fertigen.
3. Geplant ist erstmal nur lowK 0,13µ
SOI kommt später.

Und wer weiss wie gut IBM alles weitere behersst, nebenbei spielen Kosten eine wichtige Rolle.

"Wären die Mittel unbeschränkt, bräuchte man beim Design keine Kreativität" das sagte ein renomierter Designer und das gilt auch hier. ahhm habe da noch jemanden gefunden der es in 0,13 packt knapp 200 millionen transis draufzupacken

Die Fertigung des SPARC64 V erfolgt mit einer Strukturbreite von 0,13 µm mit acht Layern unter Verwendung von Kupfer-Interconnects. Auf dem 18,1 x 16,0 mm großen InfoDie breiten sich 191 Millionen Transistoren aus. Die typische Leistungsaufnahme des SPARC64 V mit 1,35 GHz beziffert Fujitsu mit 40 Watt.

Fujitsu will die Taktfrequenz des SPARC64 V in den nächsten Jahren auf bis zu 2,5 GHz steigern

Den SPARC64 V soll es bereits im Januar 2003 in Fujitsus eigenen PRIMEPOWER-UNIX-Servern der Serien 900, 1500 und 2500 geben.

man sollte bedenken das amd und intel nur "klein sind" gerade in dem Segment 64 Bit

IBM SUN HP CRAY FUJITSU sind erheblich weiter als AMD und Intel
somit kann alles passieren wie du siehst bekommen die Jungs einiges mehr hin also NV35 kann locker bis zu 300 Millionen transis haben kein Problem das zu fertigen und zu kühlen

[robbitop]

du kannst nicht CPUs mit VPUs/GPUs vergleichen.. das habe ich aber bereits mehrfach gesagt

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
du kannst nicht CPUs mit VPUs/GPUs vergleichen.. das habe ich aber bereits mehrfach gesagt richtig aber bis dahin gibt es 0,9 und alles andere (jetzt) ist 0,13 und der wechsel zu ibm bringt nur etwas wenn man gleich das risiko der neuen fertigung geht (0,9)

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
du kannst nicht CPUs mit VPUs/GPUs vergleichen.. das habe ich aber bereits mehrfach gesagt deswegen steht da der nv 35 könnte schon an die 300 transis haben selbst das ist im momment schon möglich zu fertigen.

[robbitop]

theoretisch kann IBM derzeit:
0,1µ/SOI/GERSi/LowK

wäre nett, da hast du Recht, würde man VIELE Transistoren reinbekommen, wäre hoch Taktbar. ABER IBM packt das nicht in Serienfertigung derzeit und vor allem nicht mit so komplexen Chips, zumal das GPUs sind.

würden die Yields akzeptabel sein (was sie dort garantiert nicht sind), wäre das schweineteuer..ein solches Risiko eine solche Verspätung kann man sich nicht leisten.
auch ein so komplexer chip müsste designed werden.

Man darf also nicht mit Kanonen auf Spatzen schiessen...das wird nichts..

Und selbst wenn man aktuelle 150Mio Trans Chips damit auf 1Ghz brächte, fehlt einem noch die erforderliche Bandbreite um die Leistung umzusetzen..vom Takt her nicht realissierbar derzeit, Imnterface Breite erhöhen zu teuer.


Theoretisch machbar: ja
ökonomisch sinnvoll : nein

dseswegen bekommen wir auch nur schritt für schritt neue Technologien vorgesetzt.. ;-)

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
theoretisch kann IBM derzeit:
0,1µ/SOI/GERSi/LowK

wäre nett, da hast du Recht, würde man VIELE Transistoren reinbekommen, wäre hoch Taktbar. ABER IBM packt das nicht in Serienfertigung derzeit und vor allem nicht mit so komplexen Chips, zumal das GPUs sind.

würden die Yields akzeptabel sein (was sie dort garantiert nicht sind), wäre das schweineteuer..ein solches Risiko eine solche Verspätung kann man sich nicht leisten.
auch ein so komplexer chip müsste designed werden.

Man darf also nicht mit Kanonen auf Spatzen schiessen...das wird nichts..

Und selbst wenn man aktuelle 150Mio Trans Chips damit auf 1Ghz brächte, fehlt einem noch die erforderliche Bandbreite um die Leistung umzusetzen..vom Takt her nicht realissierbar derzeit, Imnterface Breite erhöhen zu teuer.


Theoretisch machbar: ja
ökonomisch sinnvoll : nein

dseswegen bekommen wir auch nur schritt für schritt neue Technologien vorgesetzt.. ;-)
ja schon aber das wäre wohl egal!
wobei ich mir sicher bin das IBM die Fertigung schon weit im griff hat:)
denk mal darn sony baut cell auch in 0,13 also wird das kein prob toshiba fangt ende diese jahres mit der produktion an somit ist die ibm kapazität wieder frei

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
theoretisch kann IBM derzeit:
0,1µ/SOI/GERSi/LowK

wäre nett, da hast du Recht, würde man VIELE Transistoren reinbekommen, wäre hoch Taktbar. ABER IBM packt das nicht in Serienfertigung derzeit und vor allem nicht mit so komplexen Chips, zumal das GPUs sind.

würden die Yields akzeptabel sein (was sie dort garantiert nicht sind), wäre das schweineteuer..ein solches Risiko eine solche Verspätung kann man sich nicht leisten.
auch ein so komplexer chip müsste designed werden.

Man darf also nicht mit Kanonen auf Spatzen schiessen...das wird nichts..

Und selbst wenn man aktuelle 150Mio Trans Chips damit auf 1Ghz brächte, fehlt einem noch die erforderliche Bandbreite um die Leistung umzusetzen..vom Takt her nicht realissierbar derzeit, Imnterface Breite erhöhen zu teuer.


Theoretisch machbar: ja
ökonomisch sinnvoll : nein

dseswegen bekommen wir auch nur schritt für schritt neue Technologien vorgesetzt.. ;-)
praktisch fertigt ibm schon in 0,9 auch komplexe chips!
AMD erlernt es gerade

[robbitop]

zumindist Fishkill, NY kann derzeit nur 0,1µ Strukturen Fertigen.
-Ökonomie ist immer wichtig
-die PS3 Cell Chips (inzwischen heisst es "Grid Technologie") werden in 0,10µ SOI gefertigt.

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
zumindist Fishkill, NY kann derzeit nur 0,1µ Strukturen Fertigen.
-Ökonomie ist immer wichtig
-die PS3 Cell Chips (inzwischen heisst es "Grid Technologie") werden in 0,10µ SOI gefertigt. laut toshiba 0,13

[robbitop]

laut Heise 0,10µ :-P

- ne aber überleg doch mal, das Ding wird 2005 released, bis dahin ist 0,09µ mainstream wenn nicht sogar 0,065µ auf dem Vormarsch ist. Warum sollten sie 0,13µ machen?

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
laut Heise 0,10µ :-P

- ne aber überleg doch mal, das Ding wird 2005 released, bis dahin ist 0,09µ mainstream wenn nicht sogar 0,065µ auf dem Vormarsch ist. Warum sollten sie 0,13µ machen?
Warum weil toshiba in dem Werk wo sie Cell Chips herstellen nur auf 0,13 sind und weil sie dazu Ne presse Mitteilung rausgegeben haben und sie wollen 2004 mit der Produktion beginnen die Planung steht schon länger

Wie du in anderen Thread sagst dauert die Umstellung zur neuen Fertigungstechnik und bringt auch noch Neuanpassungen mit sich!

die werden sich früh genug geeinigt haben was ist auf jedenfall machbar bis dahin und auf 0,13 soi zu optimieren war nun mal das Ziel bei Beginn der Entwicklung

[robbitop]

also da habe ich ganz andere SAchen gehört, nämlich das bei IBM produziert werden soll. 0,13µ SOI ist 2005 gnadenlos veraltet.

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
also da habe ich ganz andere SAchen gehört, nämlich das bei IBM produziert werden soll. 0,13µ SOI ist 2005 gnadenlos veraltet. ja veraltet schon aber damit wiedersprichst du eigene aussagen
die produktion beginnt aber 2004 also nicht mehr lang und ibm produziert cell nicht

[robbitop]

nö..wo widerspreche ich meinen Aussagen?

ausserdem hat der Sony Cell Chip nichts mit normalen GPUs zu tun. DIe haben jede Menge Zeit und Geld in das Projekt gesteckt und es gibt keinen NAchfolger, der PARALELL entwickelt werden muss.

Dass das ganze bei Toshiba produziert wird, ist mir neu.
wie gesagt, heise sagt 0,10µ in NY , Fishkill

[Börk]

Originally posted by Unregistered
IBM SUN HP CRAY FUJITSU sind erheblich weiter als AMD und Intel
somit kann alles passieren wie du siehst bekommen die Jungs einiges mehr hin also NV35 kann locker bis zu 300 Millionen transis haben kein Problem das zu fertigen und zu kühlen
Das Problem bei 300 Millionen Transis wird die verdammt niedrige Ausbeute sein und der damit genauso hohe Preis.
Du darfst nicht vergessen, dass der Sparc ein Serverprozzi ist, bei dem der Preis recht unrelevant ist, das ist was ganz anderes als Grakas, die in den Massenmarkt sollen...

[nagus]

Originally posted by burk23

Das Problem bei 300 Millionen Transis wird die verdammt niedrige Ausbeute sein und der damit genauso hohe Preis.
Du darfst nicht vergessen, dass der Sparc ein Serverprozzi ist, bei dem der Preis recht unrelevant ist, das ist was ganz anderes als Grakas, die in den Massenmarkt sollen...


300MIO transistoren sind sowieso total unrealistisch. 150/160 sind IMHO vielleicht würs jahr 2003/2004 möglich. und die 0,9µm technik ist auch sicher noch nicht so weit

[robbitop]

0,9µ? hehe lassen wir 486er Zeiten wiederaufkommen Nagus? ^^


du meinst 0,09µ..da sind diese Zahlen realistisch, aber wer weiss ob tophersteller like IBM/Intel das schon mit so komplexen chips packen..

[Unregistered]

Originally posted by robbitop
nö..wo widerspreche ich meinen Aussagen?

ausserdem hat der Sony Cell Chip nichts mit normalen GPUs zu tun. DIe haben jede Menge Zeit und Geld in das Projekt gesteckt und es gibt keinen NAchfolger, der PARALELL entwickelt werden muss.

Dass das ganze bei Toshiba produziert wird, ist mir neu.
wie gesagt, heise sagt 0,10µ in NY , Fishkill

wäre nett, da hast du Recht, würde man VIELE Transistoren reinbekommen, wäre hoch Taktbar. ABER IBM packt das nicht in Serienfertigung derzeit und vor allem nicht mit so komplexen Chips, zumal das GPUs sind.

was nun gpu ja oder nein? Antwort nein mehr ein protzie weniger komplex.

nachfolger wieso wer redet davon?


Die Entwicklung der neuen Fertigungstechniken wird mit einem gemeinsamen Team aus Wissenschaftlern und Ingenieuren von IBM, Sony und Toshiba am IBM Semiconductor Research and Development Center (SRDC) in East Fishkill im US-Staat New York stattfinden. Jeder der Partner habe dann die Möglichkeit, entsprechende Chips in seinen eigenen Produktionsanlagen für seine Kunden zu fertigen, so IBM. In einer getrennten Vereinbarung haben Sony und Toshiba die SOI-Techniken von IBM lizenziert.

dort wurde denen beigebracht so wie AMD im momment wie sie in der technik fertigen können!


Sony nennt Details für neuen Grafikprozessor - für die PS3?


Vermutlich für den Einsatz in der PlayStation 3 bestimmt


Sony hat auf der International Solid-State Circuit Conference (ISSCC) Details zu einem in Entwicklung befindlichen Grafikprozessor bekannt gegeben, der sich von den Leistungsdaten her sehr nach einem Nachfolger für den PlayStation 2 (PS2) "Graphics Synthesizer" anhört. Vorgestellt wurde der Chip allerdings als "150MHz Graphics Rendering Processor with 256Mb Embedded DRAM" und nicht als PS3-Komponente.

Mit 256 Mbit, umgerechnet 32 Mbyte, hat der neue Grafikprozessor achtmal mehr Speicher als der Graphics Synthesizer der PS2. Der Graphics Synthesizer der PS2 verfügt lediglich über 4 MB Embedded-VRAM. Dieser Umstand hatte Sony viel Kritik von Spieleentwicklern eingebracht, da der Texturspeicher damit mehr als knapp bemessen ist.

Die theoretischen technischen Daten des mutmaßlichen PS3-Grafikprozessors lauten wie folgt:

287,5 Millionen Transistoren auf einer Die-Fläche von 21,3 x 21,7 qmm
0,18-Mikron "6-level-metal CMOS Process"
150 MHz Taktfrequenz
32 Mbyte integrierter Speicher
75 Millionen Polygone pro Sekunde
Für die Fertigung des recht großen Prozessors werden laut Sony verschiedene Design-Methoden genutzt. Als Partner für die sicherlich auf Grund ihrer Komplexität nicht unproblematische Architektur hat sich Sony das System-on-Chip-(SoC-)erfahrene Unternehmen Simplex Solutions ins Haus geholt. Simplex bietet unter anderem Technologien zum schnelleren Aufspüren und Korrigieren von Designfehlern, die zu einer schnelleren Marktreife führen sollen.

das hört sich doch so an als ob es nicht möglich wäre zumidest nach auffasung einiger Hier.


Toshiba hat die Serienproduktion des CELL-Chips (wir haben berichtet) für 2004 angekündigt, meldet der Informationsdienstleister Bloomberg. Die Silizum-Koproduktion von Sony, IBM und Toshiba soll bei Servern und einer Vielzahl an Unterhaltungselektronik zum Einsatz kommen, darunter auch die Playstation 3.

also nix IBM die bauen aus span/cell was anderes!


beachte mal das datum
04/12/2001 3:30 P.M. EST)



AUSTIN -- Sony Computer Entertainment Inc., IBM Corp. und Toshiba Corp. haben angefangen, ungefähr 300 Computerarchitekten und Spanentwerfer für eine Designmitte hier einzuziehen -- ein R&D-Projekt erwartet, um den Firmen Over $400 Million zu kosten die folgenden fünf Jahre.
Die Mitte, gelegen an einem IBM-Service in Nordwestaustin, wird sich entwickelnden vorgerückten Spänen eingeweiht und wird 0.10-micronproduktionstechnologie IBM, kupferne Verknüpfungsschichten und Silikon-auf-Isolierungstechnologie verwenden. Hauptleiter von den drei Firmen waren in der Stadt Mittwoch für den amtlichen Bandausschnitt der Mitte.




Die Partner stellen vor sich, die Späne zu verwenden, die unter diesem Verhältnis für die neue Breitbandära entwickelt werden, wenn die Vorrichtungen hohen Geschwindigkeitszugang erfordern, zum Internet, sagten einen Wortführer für Abteilung IBM Microlectronics.

IBM errichtet ein 300mm-fab in OstFishkill, neues York, das spätem 2002 durchgeführt werden sollte, mit voller Produktion bis 2003, sagte er. IBM benutzt das fab Fiskkill, um die Späne herzustellen, die auf den Designs basieren, die in der gemeinsamen Mitte entwickelt werden, der gesagte Wortführer.

SCEI und Toshiba haben nicht wo sie produzieren Designmittelspäne verkündet, die die Firmen "Cell".Company-Hauptleiter an Hand benennen, um weg vom Austin enthaltenes Mitteltakeshi Nakagawa zu treten, Präsident und CEO der Halbleiterfirma Toshibas, Johnkelly, älterer Vizepräsident der Technologiegruppe IBM und Ken Kutaragi, Präsident und CEO von SCEI.



so war es vorgesehn aber es kommt anders wie immer :)


ps: meini infos beziehen sich auf pressemitteilungen diesen jahres wobei ich die alte presentationsfolie auch habe wo 0,13 drine steht, und das ibm es dann schon in 0,1 kann und teilweise sollen dort dann 0,05 bauteile drine sein ist aber nicht in der ps3 drinne 0,18 bis 0,13 sind die prozesse und toshiba ich finde die presseerklärung nicht wieder kann soi nur in 0,13 das design ist aber darauf ausgelegt und optiemiert alos kein prob



No way you can fit 128 FPUs plus 4 PowerPC cores on a chip!
No caches leave much more room for logic
For streaming applications this is not that bad
NV30
0.13 micron
130 M Transistors
51 Gflops (32 128-bit FPUs)
Itanium 2
0.13 micron
410 M Transistors
8 Gflops

[Unregistered]

Originally posted by nagus



300MIO transistoren sind sowieso total unrealistisch. 150/160 sind IMHO vielleicht würs jahr 2003/2004 möglich. und die 0,9µm technik ist auch sicher noch nicht so weit

Die theoretischen technischen Daten des mutmaßlichen PS3-Grafikprozessors lauten wie folgt:

287,5 Millionen Transistoren auf einer Die-Fläche von 21,3 x 21,7 qmm
0,18-Mikron "6-level-metal CMOS Process"
150 MHz Taktfrequenz
32 Mbyte integrierter Speicher
75 Millionen Polygone pro Sekunde
Für die Fertigung des recht großen Prozessors werden laut Sony verschiedene Design-Methoden genutzt. Als Partner für die sicherlich auf Grund ihrer Komplexität nicht unproblematische Architektur hat sich Sony das System-on-Chip-(SoC-)erfahrene Unternehmen Simplex Solutions ins Haus geholt. Simplex bietet unter anderem Technologien zum schnelleren Aufspüren und Korrigieren von Designfehlern, die zu einer schnelleren Marktreife führen sollen.

[robbitop]

hört sich an, als wenn das ganze doch schlagbar wäre, 2005 von der XBox2 mit nem R500 Abkömmling oder NV5A.

Wer weiss...