CL - Frage

[Cenmocay]

Was bringt einem die CL von 2-2-2 gegenüber CL von 3-3-3 beim übertakten ???
Die Preisunterschiede sind schon heftig !:kratz: :kratz:

[Gast]

Latenzzeit (latency)

Bei Speicherbausteinen versteht man unter der Latenzzeit die Zeit die der Speicherbaustein benötigt um nach Erhalt des Befehls und der Adresse das erste Wort zu generieren. Man unterscheidet zwischen der Latenzzeit für die Spalten, der Columm Access Strobe (CAS) und der für die Reihen, der Row Access Strobe (RAS). Beide Latenzzeiten werden als dimensionslose Zahlen angegeben. Je kleiner die Zahl ist, desto besser ist die Latenz. So ist beispielsweise ein DIMM-Modul mit einer CAS-Latenz von 2 schneller als ein Modul mit der CAS-Latenz 3, auch dann wenn das erstgenannte Modul eine längere Zugriffszeit hat.

-> cl2 zu cl3 = ca. 30% schneller

Striper

[Cenmocay]

Was bringt mir das beim OC ???

z.B schaffe ich es mit Cl 3 bis 2.80 Ghz und mit Cl2 bis 2.85 ???
:help:

[Tomi]

Original geschrieben von Gast
Latenzzeit (latency)



-> cl2 zu cl3 = ca. 30% schneller

Striper

30 % ? Ich darf mal lachen oder ? Vom Preis her gesehen vielleicht 30 % mehr, aber nicht von der Performance.

Grüße

[Kakarot]

Welcher Standard(PC2100/PC2700/PC3200)?

Die vom Hersteller vorgegebenen Timings, beziehen sich immer auf einen bestimmten Standard, also z.B. 2/2/2/6(CL/RCD/RP/RAS) bei DDR400(PC3200), was ein sehr gutes Modul darstellt!

btw.: CL gibt nur die Cas Latency an, nicht RCD, RP oder RAS, es wird also hier z.B. in CL2 oder CL3 unterschieden.

[GloomY]

Original geschrieben von Gast
Latenzzeit (latency)

Bei Speicherbausteinen versteht man unter der Latenzzeit die Zeit die der Speicherbaustein benötigt um nach Erhalt des Befehls und der Adresse das erste Wort zu generieren. Man unterscheidet zwischen der Latenzzeit für die Spalten, der Columm Access Strobe (CAS) und der für die Reihen, der Row Access Strobe (RAS). Beide Latenzzeiten werden als dimensionslose Zahlen angegeben. Je kleiner die Zahl ist, desto besser ist die Latenz. So ist beispielsweise ein DIMM-Modul mit einer CAS-Latenz von 2 schneller als ein Modul mit der CAS-Latenz 3, auch dann wenn das erstgenannte Modul eine längere Zugriffszeit hat.Naja, irgendwo was rauskopieren bringt nichts, besonders dann nicht, wenn man es nicht versteht. Anders kann ich mir das hier nicht erklären:
Original geschrieben von Gast
-> cl2 zu cl3 = ca. 30% schnellerFalsch. Es sind nicht mal theoretisch 30%.
Bevor ich eine beliebige Adresse aus dem Speicher auslesen kann, muss ich erst einmal die Row in die Sense Amps laden (tRP: 2 bis 4 Takte), danach eine spezifizierte Zeit warten (tRCD: 2 bis 4 Takte) und danach kann ich die Spalte adressieren (tCL: 1,5 bis 3 Takte).
Die Latenzzeit ohne die CL ist also im allerbesten Fall 4 Takte. Der Unterschied zwischen tCL=2 und tCL=3 ist also 4+2 = 6 zu 4+3 = 7 Takte. Der relative Unterschied beträgt 1/6, also ungefähr 16%.
Im Schlimmsten Fall bezüglich den Timings (tRP=4; tRCD=4) ist es 1/10 = 10%. Im allerschlimmsten Fall (Page muss geschlossen werden und dann erst neu geöffnet, wobei tRAS=7) ist es 1/17 = 5,9%.

Das sind immerhin alles theoretische Werte. Bei heutigem DDR SDRAM kann man die CL Adressierung einer Bank hinter der bereits laufenden Übertragung einer anderen Bank verstecken, so dass im optimalen Fall gar keine Verzögerung stattfindet, es also keinen Unterschied zwischen einer CL von 2 oder 3 gibt.

Daher ist der Unterschied auch eher gering. Ich würde bei CL2 vs. CL3 mal auf so 1,5 bis 2 % tippen, mehr ist es sicher nicht.